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DRAM

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)은 컴퓨터 시스템에서 가장 널리 사용되는 유형의 랜덤 액세스 메모리입니다. 이 메모리는 주로 시스템의 메인 메모리로 사용되며, 프로세서가 빠르게 데이터에 액세스하고 처리할 수 있도록 지원합니다. DRAM의 작동 원리와 특징을 자세히 살펴보겠습니다.

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DRAM의 기본 구조와 작동 원리

DRAM은 각각의 메모리 셀이 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성되어 있습니다. 이 구조는 DRAM이 데이터를 "동적으로" 저장하게 합니다—즉, 데이터를 유지하기 위해 지속적으로 새로 고쳐야 합니다.

  • 커패시터: 데이터 비트를 전기적 충전 형태로 저장합니다. 커패시터에 충전이 있으면 비트는 '1'로, 충전이 없으면 '0'으로 표현됩니다.
  • 트랜지스터: 각 메모리 셀에 액세스하기 위해 사용됩니다. 트랜지스터는 주소 라인에 의해 제어되며, 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있도록 합니다.

데이터 읽기와 쓰기

  • 읽기 작업: 트랜지스터가 열리면 커패시터의 전하가 비트 라인을 통해 읽힙니다. 커패시터의 충전 상태에 따라 데이터 라인에 전압 변화가 생기고, 이를 통해 데이터가 '1'인지 '0'인지 판별합니다. 읽기 과정은 커패시터를 방전시키기 때문에, 읽은 후에는 데이터를 복원하는 과정이 필요합니다.
  • 쓰기 작업: 데이터를 쓸 때는 커패시터에 전하를 주입하거나 제거하여 '1' 또는 '0'의 상태를 설정합니다. 트랜지스터가 열리고, 비트 라인을 통해 커패시터를 충전하거나 방전합니다.

리프레시 주기

DRAM의 커패시터는 누설 전류 때문에 시간이 지나면서 자연스럽게 전하를 잃습니다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 주기적으로 리프레시되어야 합니다. 리프레시 과정에서는 저장된 정보가 다시 읽히고, 필요한 경우 커패시터가 다시 충전됩니다. 이 리프레시 동작은 주기적으로 자동으로 수행되며, 시스템의 성능에 영향을 줄 수 있습니다.

DRAM의 장점과 단점

장점:

  • 높은 밀도: 한 칩에 많은 양의 데이터를 저장할 수 있습니다.
  • 비용 효율성: 생산 비용이 상대적으로 낮습니다.

단점:

  • 전력 소비: 데이터를 유지하기 위해 지속적인 전력이 필요합니다.
  • 속도: SRAM과 비교할 때 느릴 수 있습니다.

DRAM은 이러한 특성으로 인해 메인 메모리, 그래픽 카드, 그리고 서버 등 다양한 컴퓨팅 환경에서 광범위하게 사용됩니다. 최근에는 DRAM 기술의 발전을 통해 속도와 밀도가 개선되었으며, 다양한 신기술과의 통합을 통해 지속적으로 진화하고 있습니다.

 

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